Please use this identifier to cite or link to this item: http://kurumsalarsiv.tenmak.gov.tr/handle/20.500.12878/442
Title: Aluminyum - Galyum Arsenid (a1-GaAs) Schottky engelli diyotların yapımı, akım-voltaj karakteristiklerinin sıcaklık ile değişiminin incelenmesi
Authors: Aladlı, Ferda
Birgül, G.
Geçim, S.
TAEK-ANAEM
Keywords: Aluminyum-Galyum Arsenid (Al-GaAs)
Alüminyum-Galyum Arsenid (Al-GaAs)
Schottky disabled diodes
Schottky engelli diyotlar
Issue Date: 1982
Publisher: T.A.E.K., Ankara Nükleer Araştırma ve Eğitim Merkezi
Citation: Aladlı, F., Birgül, G. ve Geçim S. (1982). Aluminyum - Galyum Arsenid (a1-GaAs) Schottky engelli diyotların yapımı, akım-voltaj karakteristiklerinin sıcaklık ile değişiminin incelenmesi. Ankara : T.A.E.K., Ankara Nükleer Araştırma ve Eğitim Merkezi.
Series/Report no.: T.A.E.K., Ankara Nükleer Araştırma ve Eğitim Merkezi, Bilimsel Araştırma ve İncelemeler;13
Abstract: n-tipi GaAs-Schottky engelli diyotlarda altın kontak maddesi olarak kullanıldığı zaman, Au, GaAs sistemlerin 350-400°C nin üzerindeki yüksek sıcaklıklarda bozulduğu bilinmektedir. Bu bozulma göz önüne alınarak Al-GaAs'm 500 C° ye kadar, Schottky engellerinin bilinen termik kararlılığı nedeniyle alüminyum kontak maddesi olarak seçildi (1). Dolayısıyla n-tipi GaAs kristallerine, Schottky engelli kontaklar alüminyum evaporasyonu ile yapıldı. Gerekli yüzeysel işlemler ve kaplama şartları gerçekleştirilmek koşuluyla, oda sıcaklığında Al-GaAs Schottky engelleri yapımı için bir metod geliştirildi. Idealite faktörü n, her bir diyot için tayin edildi ve 1.12, 1.67 arasında değiştiği görüldü.
Schottky barrier contacts were prepared by the evaporation of aliminium. Usually gold is choosen as a contact material to n-type GaAs. It is well-known that Au-GaAs system degrades at high temperatures in excess of 350-400°C. Considering this degradation obstacle, aliminium was choosen as an alternative metal because of the known thermal stability of Al-GaAs Schottky barriers up to about 500°C. We developed a method of making GaAs Schottky barriers at room temperature provided that an appropriate surface treatment and deposition conditions were applied. The ideality factors of the diodes were determined to be between 1.12-1.67.
Description: TENMAK D.N.. 8407
URI: http://kurumsalarsiv.tenmak.gov.tr/handle/20.500.12878/442
Appears in Collections:Rapor 1980-1989 yılları

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
8407.pdf2.54 MBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.