Aladlı, FerdaTürek, D.2021-08-312021-08-311974-02Aladlı, F. ve Türek, D. (1974). Trap density determination in CdS thin films by space charge limited currents. Technical Journal, 1(1), 27-31.http://kurumsalarsiv.tenmak.gov.tr/handle/20.500.12878/1725Au-CdS-ln yapısındaki ince film diyotlarda akım geçiş mekanizması incelenmiş ve J - V karakteristikleri yardımı ile tuzak yoğunlukları hesaplanmıştır. J-V (Akım yoğunlukları - Voltaj) eğrileri başlıca üç farklı bölge göstermiştir: 1. Akımın voltajla orantılı olduğu omik bölge, 2. Akımın eαV ile orantılı olduğu üstel bölge, 3. Akımın voltajın karesi İle orantılı olduğu bölge, Kare kanunu. Tuzak yoğunluklarının tayininde Rose'un teorisi esas alınmış ve tuzak yoğunlukları 10(14) -10(16) eV-1. cm-3 bulunmuştur. Tuzak aktivasyon enerjisi ise, çeşitli sıcaklıklarda yapılan iletkenlik ölçüleri ile tayin edilmiş ve EA = 0.51 eV olarak hesaplanmıştır.In CdS thin films, the trap densities have been calculated by J-V curves. The J-V curves displayed three different regions: 1. Ohrnic region (J ̴ V), 2. Exponential region (J~eαV), 3. Square law region (J~ V2). In order to calculate the trap densities, Rose’s theory has been used. The trap densities were in the order of 10(14) - 10(16) eV-1. cm-3 and the activation energy of the traps was found to be EA = 0.51 eV.enginfo:eu-repo/semantics/openAccessSpace charge limited currentsUzay yükü sınırlı akımlarTrap density determinationTuzak yoğunluğunun belirlenmesiCdS thin filmsCdS ince filmarticle127311