Bölükbaşı, O.Sanalan, Yalçın2022-06-142022-06-141982-08Bölükbaşı, O. ve Sanalan, Y. (1982). Channeling of low energy protons in Si <111> crystal. Turkish Journal of Nuclear Sciences, 9(2), 52-63.http://kurumsalarsiv.tenmak.gov.tr/handle/20.500.12878/1878(111) düzlemine paralel kesilmiş silikon tek-kristalinde, Rutherford geri saçılma tekniği kullanılarak, kanallarıma olayı incelendi. 325, 395 ve 400 keV enerjili protonlar için kritik açılar ölçüldü ve deneysel olarak bulunan parametreler Lindhard'm basit süreklilik modeli hesaplamalarıyla karşılaştırıldı .Channeling effect on a silicon single-crystal wafer cut along parallel to its (111) plane was investigated by using Rutherford Back-scattering Technique. Critical angles were measured for 325, 395 and 400 keV incoming proton energies. Experimentally measured parameters were compared to Lindhard's simple continuoum model calculations.enginfo:eu-repo/semantics/openAccessSi <111> crystalSi <111> kristaliChannelingKanallamaLow energy protonsDüşük enerjili protonlararticle952632