Aladlı, FerdaBirgül, G.Geçim, S.2017-06-092017-06-091982Aladlı, F., Birgül, G. ve Geçim S. (1982). Aluminyum - Galyum Arsenid (a1-GaAs) Schottky engelli diyotların yapımı, akım-voltaj karakteristiklerinin sıcaklık ile değişiminin incelenmesi. Ankara : T.A.E.K., Ankara Nükleer Araştırma ve Eğitim Merkezi.http://kurumsalarsiv.tenmak.gov.tr/handle/20.500.12878/442TENMAK D.N.. 8407n-tipi GaAs-Schottky engelli diyotlarda altın kontak maddesi olarak kullanıldığı zaman, Au, GaAs sistemlerin 350-400°C nin üzerindeki yüksek sıcaklıklarda bozulduğu bilinmektedir. Bu bozulma göz önüne alınarak Al-GaAs'm 500 C° ye kadar, Schottky engellerinin bilinen termik kararlılığı nedeniyle alüminyum kontak maddesi olarak seçildi (1). Dolayısıyla n-tipi GaAs kristallerine, Schottky engelli kontaklar alüminyum evaporasyonu ile yapıldı. Gerekli yüzeysel işlemler ve kaplama şartları gerçekleştirilmek koşuluyla, oda sıcaklığında Al-GaAs Schottky engelleri yapımı için bir metod geliştirildi. Idealite faktörü n, her bir diyot için tayin edildi ve 1.12, 1.67 arasında değiştiği görüldü.Schottky barrier contacts were prepared by the evaporation of aliminium. Usually gold is choosen as a contact material to n-type GaAs. It is well-known that Au-GaAs system degrades at high temperatures in excess of 350-400°C. Considering this degradation obstacle, aliminium was choosen as an alternative metal because of the known thermal stability of Al-GaAs Schottky barriers up to about 500°C. We developed a method of making GaAs Schottky barriers at room temperature provided that an appropriate surface treatment and deposition conditions were applied. The ideality factors of the diodes were determined to be between 1.12-1.67.turinfo:eu-repo/semantics/openAccessAluminyum-Galyum Arsenid (Al-GaAs)Alüminyum-Galyum Arsenid (Al-GaAs)Schottky disabled diodesSchottky engelli diyotlarreport