Ellialtıoğlu, M. R.Sencer, O.2021-08-312021-08-311974-02Ellialtıoğlu, M. R. ve Sencer, O. (1974). Effects of X-ray radiation to the surface - state density in a metal-oxide-semiconductor structure. Technical Journal, 1(1), 23-25.http://kurumsalarsiv.tenmak.gov.tr/handle/20.500.12878/17245 ohm - cm rezistiviteli p-tipi bir silisyum dilimi üzerinde 2160 A kalınlığında Si02 tabakası büyütülerek Au - SiO2 - Si - Al MOS yapısı inşa edildi. 4.5 MHz’de yapının C-V karakteristiği ölçüldü ve yüzey enerji durumları yoğunluğu 1.4x10(11) cm-2 olarak hesaplandı. Yüzey enerji durumları yoğunluğunun X-ışını ile değişimi incelendi.A 2160 AO thick Si02 layer was grown on a p - type silicon wafer of resistivity 5 ohm - cm and an Au - SiO2 - Si - Al MOS structure was built. The C - V characteristics of the structure were measured at 4.5 MHz, and the surface - state density was calculated to be about 1.4x10(11) cm-2. Change in the surface - state density with X-ray irradiation was investigated.enginfo:eu-repo/semantics/openAccessX-ray radiationX-ışını radyasyonunuMetal-oxide-semiconductor structureMetal oksit-yarı iletken yapıState densityDurum yoğunluğuSurfaceYüzeyarticle123251