Aladlı, FerdaTürek, D.2017-08-032017-08-031973-11Aladlı, F. ve Türek, D. (1973). Cds filmlerde SCL akımları (uzay yükü ile sınırlı akımlar) ve tuzak yoğunluklarının tayini. Ankara : T.C. Atom Enerjisi Komisyonu, Ankara Nükleer Araştırma Merkezi.http://kurumsalarsiv.tenmak.gov.tr/handle/20.500.12878/531TENMAK D.N.. 8325Au-CdS-In yapısındaki ince film diyotlarda akım geçiş mekanizması incelenmiş ve J-V karakteristikleri yardımı ile tuzak yoğunlukları hesaplanmıştır. J-V (Akım Yoğunlukları-Voltaj) eğrileri başlıca üç farklı bölge göstermiştir : 1. Akımın voltajla orantılı olduğu omik bölge, 2. Akımın, e α V ile orantılı olduğu üstel bölge, 3. Akımın voltajın karesi ile orantılı olduğu bölge, Kare kanunu. Tuzak yoğunluklarının tayininde Rose’un teorisi esas alınmış ve tuzak yoğunlukları 10(14) - 10(16) eV(-1) cm-3 bulunmuştur. Tuzak aktivasyon enerjisi ise, çeşitli sıcaklıklarda yapılan iletkenlik ölçüleri ile tayin edilmiş ve EA=0,51 eV olarak hesaplanmıştır.Electrical conduction mechanism in CdS thin films have been investigated and trap densities have been calculated by J - V measurements. The J-V curves displayed three different regions 1. Ohmic region (J ̴ V) 2. Escpanantial region (J ̴ e(V)) 3. Square law region (J ̴ V(2)) In order to calculate the trap densities, Rose’s theory have been used. The trap densities were in the order of 10(14) - 10(16) eV(-1) cm(-3) and the activation energy of the traps was found E(A)=0,51 eV.turinfo:eu-repo/semantics/openAccessThin filmsİnce filmlerCdS thin filmsCdS ince filmlerSCL currentsSCL akımlarıreport