Total fractional escape from semiconductor detectors
Loading...
Date
1977-06
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Turkish Atomic Energy Commission, Ankara Nuclear Research and Traning Center
Abstract
Ge(Li) ve Si(LI) detektörlerinde 2-100 keV enerji bölgesinde sayaca ait K X-ışınlarının toplam kaçma oranı yeni bir yaklaşımla hesaplanmıştır. Alttan kaçma oranı hesaplanmış ve bunun toplam kaçma oranına olan hissesi tespit edilmiştir. Elde edilen toplam kaçma eğrileri, üstten kaçma ile karşılaştırılmış ve İki eğri arasındaki ayrılmaların Ge(Li) için 60 keV ve Si(Li) için 15 keV den başlayarak yüksek enerjilere doğru arttığı gösterilmiştir.
A new approach is investigated for total fractional escape of K X-rays of semiconductor Ge(Li) and Si (Li) detectors in the energy range from 2 to 100 keV. The fractional rear escape is formulated. The contribution of rear escape to the total escape is seen to begin after 60 keV for Ge(Li) and 15 keV for Si (Li).
A new approach is investigated for total fractional escape of K X-rays of semiconductor Ge(Li) and Si (Li) detectors in the energy range from 2 to 100 keV. The fractional rear escape is formulated. The contribution of rear escape to the total escape is seen to begin after 60 keV for Ge(Li) and 15 keV for Si (Li).
Description
Keywords
Total fractional escape, Toplam fraksiyonel kaçış, Semiconductor detectors, Yarı iletken dedektörler
Citation
Şaplakoğlu, A. ... [ve arkadaşları]. (1977). Total fractional escape from semiconductor detectors. Technical Journal, 4(2), 52-59.