(Turkish Atomic Energy Commission, Ankara Nuclear Research Center, 1974-02) Ellialtıoğlu, M. R.; Sencer, O.; 0000-0001-6100-5727; AEK-Ankara Nükleer Araştırma Merkezi
5 ohm - cm rezistiviteli p-tipi bir silisyum dilimi üzerinde 2160 A kalınlığında Si02 tabakası büyütülerek Au - SiO2 - Si - Al MOS yapısı inşa edildi. 4.5 MHz’de yapının C-V karakteristiği ölçüldü ve yüzey enerji durumları yoğunluğu 1.4x10(11) cm-2 olarak hesaplandı. Yüzey enerji durumları yoğunluğunun X-ışını ile değişimi incelendi.