5 ohra-em rezistiviteli p-tipi bir silisyum dilimi üzerinde 2160 A° kalınlığında SİO2 tabakası büyültülerek Au-SiO2-Si-Al MOS yapısı inşa edildi ve 4.5 MHz ’de yapının C-V karakteristikleri ölçüldü, ölçülerden faydalanarak yüzey enerji durumları yoğunluğu hesaplandı ve 1.4x10(11) cm-2 olarak bulundu. Yüzey enerji durumları yoğunluğunun, ışınlama hızı 60 R/dak, çalışma voltajı 150 KV ve anod akımı 5 mA olan bir X-ışını tüpü kullanarak, ışınlama süresiyle değişimi incelendi ve doyma eğrisi elde edildi.