MOS (Metal - Oxide - Semiconductor) yapısında Nss yüzey enerji durumları yoğunluğunun x-ışınları ile değişimi
Loading...
Files
Date
1973-11
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Atom Enerjisi Komisyonu
Abstract
5 ohra-em rezistiviteli p-tipi bir silisyum dilimi üzerinde 2160 A° kalınlığında SİO2 tabakası büyültülerek Au-SiO2-Si-Al MOS yapısı inşa edildi ve 4.5 MHz ’de yapının C-V karakteristikleri ölçüldü, ölçülerden faydalanarak yüzey enerji durumları yoğunluğu hesaplandı ve 1.4x10(11) cm-2 olarak bulundu. Yüzey enerji durumları yoğunluğunun, ışınlama hızı 60 R/dak, çalışma voltajı 150 KV ve anod akımı 5 mA olan bir X-ışını tüpü kullanarak, ışınlama süresiyle değişimi incelendi ve doyma eğrisi elde edildi.
A 2160 A° thick SİO2 layer was growth on a p-type silicon wafer of the resistivity of 5 ohro-cm and an Au-SiO2-Si-Al MOS structure was built. The C-V charaotheristics of the struoture was measured at 4.5 MHz. The surface-state density was calculated using these measurements and found as 1.4x10(11) cm-2. Using an X-ray machine with the operating voltage of 150 kV the anode current of 5 ”iA and the exposure rate of 60 R/min., variations of surface-state density with the irradiation time was observed and the saturation curve was plotted.
A 2160 A° thick SİO2 layer was growth on a p-type silicon wafer of the resistivity of 5 ohro-cm and an Au-SiO2-Si-Al MOS structure was built. The C-V charaotheristics of the struoture was measured at 4.5 MHz. The surface-state density was calculated using these measurements and found as 1.4x10(11) cm-2. Using an X-ray machine with the operating voltage of 150 kV the anode current of 5 ”iA and the exposure rate of 60 R/min., variations of surface-state density with the irradiation time was observed and the saturation curve was plotted.
Description
TENMAK D.N.. 8507 Bu çalışma TÜBİTAK IV. Bilim Kongresine sunulmuştur.
Keywords
X-rays, X-ışınları, MOS (Metal - Oxide - Semiconductor), MOS (Metal - Oksit - Yarıiletken)
Citation
Ellialtıoğlu, R., Sencer, O. ve Büget, U. (1973). MOS (Metal - Oxide - Semiconductor) yapısında Nss yüzey enerji durumları yoğunluğunun x-ışınları ile değişimi. Ankara : Atom Enerjisi Komisyonu.