Rapor 1980-1989 yılları
Permanent URI for this collection
Browse
Browsing Rapor 1980-1989 yılları by Publisher "T.A.E.K., Ankara Nükleer Araştırma ve Eğitim Merkezi"
Now showing 1 - 3 of 3
Results Per Page
Sort Options
Item Aluminyum - Galyum Arsenid (a1-GaAs) Schottky engelli diyotların yapımı, akım-voltaj karakteristiklerinin sıcaklık ile değişiminin incelenmesi(T.A.E.K., Ankara Nükleer Araştırma ve Eğitim Merkezi, 1982) Aladlı, Ferda; Birgül, G.; Geçim, S.; TAEK-ANAEMn-tipi GaAs-Schottky engelli diyotlarda altın kontak maddesi olarak kullanıldığı zaman, Au, GaAs sistemlerin 350-400°C nin üzerindeki yüksek sıcaklıklarda bozulduğu bilinmektedir. Bu bozulma göz önüne alınarak Al-GaAs'm 500 C° ye kadar, Schottky engellerinin bilinen termik kararlılığı nedeniyle alüminyum kontak maddesi olarak seçildi (1). Dolayısıyla n-tipi GaAs kristallerine, Schottky engelli kontaklar alüminyum evaporasyonu ile yapıldı. Gerekli yüzeysel işlemler ve kaplama şartları gerçekleştirilmek koşuluyla, oda sıcaklığında Al-GaAs Schottky engelleri yapımı için bir metod geliştirildi. Idealite faktörü n, her bir diyot için tayin edildi ve 1.12, 1.67 arasında değiştiği görüldü.Item İzotopik nötron kaynağı kullanarak NAA ile Eskişehir Beylikahır yöresinden alınan toryum cevherlerinde bazı elementlerin tayini(T.A.E.K., Ankara Nükleer Araştırma ve Eğitim Merkezi, 1983) Çelenk, İ.; TAEK-ANAEMBu çalışmada, Ege Üniversitesi Yer Bilimleri Fakültesinden getirtilen numunelerde Al, Si, Mn, Fe, Ba, La, Sm, Eu, Th Ve U tayini yapılmış tır. Çalışmada 5 Ci 238Pu-Be nötron kaynağı kullanılmış ve deney şartlarında nötron akışı 2.4 x 10(4)n.cm-2.s-1 dir.Item Radyasyonun biyolojik etkileri(T.A.E.K., Ankara Nükleer Araştırma ve Eğitim Merkezi, 1983) Taner, A. Cangüzel; TAEK-ANAEM