Rapor 1980-1989 yılları
Permanent URI for this collection
Browse
Browsing Rapor 1980-1989 yılları by Subject "Aluminyum-Galyum Arsenid (Al-GaAs)"
Now showing 1 - 1 of 1
Results Per Page
Sort Options
Item Aluminyum - Galyum Arsenid (a1-GaAs) Schottky engelli diyotların yapımı, akım-voltaj karakteristiklerinin sıcaklık ile değişiminin incelenmesi(T.A.E.K., Ankara Nükleer Araştırma ve Eğitim Merkezi, 1982) Aladlı, Ferda; Birgül, G.; Geçim, S.; TAEK-ANAEMn-tipi GaAs-Schottky engelli diyotlarda altın kontak maddesi olarak kullanıldığı zaman, Au, GaAs sistemlerin 350-400°C nin üzerindeki yüksek sıcaklıklarda bozulduğu bilinmektedir. Bu bozulma göz önüne alınarak Al-GaAs'm 500 C° ye kadar, Schottky engellerinin bilinen termik kararlılığı nedeniyle alüminyum kontak maddesi olarak seçildi (1). Dolayısıyla n-tipi GaAs kristallerine, Schottky engelli kontaklar alüminyum evaporasyonu ile yapıldı. Gerekli yüzeysel işlemler ve kaplama şartları gerçekleştirilmek koşuluyla, oda sıcaklığında Al-GaAs Schottky engelleri yapımı için bir metod geliştirildi. Idealite faktörü n, her bir diyot için tayin edildi ve 1.12, 1.67 arasında değiştiği görüldü.