Cilt 3 - Sayı: 3 (1976)
Permanent URI for this collection
Browse
Browsing Cilt 3 - Sayı: 3 (1976) by Subject "Drifted silicon"
Now showing 1 - 1 of 1
Results Per Page
Sort Options
Item Lithium - drifted silicon p-i-n junction dedectors(Turkish Atomic Energy Commission, Ankara Nuclear Research and Traning Center, 1976) Birgül, G.; Erdaç, G.; Türek, D.; Türe, E.; Büget, U.; AEK-Ankara Nükleer Araştırma ve Eğitim Merkezip-i-n birleşim parçacık dedektörleri iyon sürükleme tekniği ile yapılmış ve 2,5-3 mm den daha derin duyar bölgeler elde edilmiştir. Ölçülen ve hesaplanan sürükleme hızları arasında iyi bir uyuşum gözlenmiştir. Oda sıcaklığında, 500 KeV ve MeV'Iik elektronlar için, dedektörlerin ayırma gücü (yarı maksimumda tam genişlik, FWHM) 25 KeV olarak ve 661KeV'lik gama ışınları için ise 19 KeV olarak bulunmuştur. Dedektörler sıvı azot sıcaklığına kadar soğutulduğunda, 1 MeV’lik elektronlar için ayırma gücünün 20 KeV’e kadar düştüğü görülmüştür.