Open-circuit voltage of MIS silicon solar cells
| dc.contributor.author | Aladlı, Ferda | |
| dc.contributor.author | Birgül, G. | |
| dc.contributor.author | Özdemir, S. | |
| dc.contributor.department | TAEK-ANAEM | tr_TR |
| dc.date.accessioned | 2022-06-23T13:33:05Z | |
| dc.date.available | 2022-06-23T13:33:05Z | |
| dc.date.issued | 1983-12 | |
| dc.description.abstract | Bu çalışmada, n-tipi silikon kullanılarak yapılan MIS Silikon güneş pillerinin açık devre voltajı incelendi, n kalite faktörü ve eϕBn Schottky engeli gibi çeşitli parametrelerin, açık devre voltajı üzerine etkisi araştırıldı. Neticede, açık devre voltajının yüksek olması için n-değerinin de yüksek olması şartının gerekmediği görüldü. | tr_TR |
| dc.description.abstract | Open circuit voltage Voc of MIS Silicon Solar cells fabricated on n-type silicon has been investigated. The effect of different parameters such as quality factor n and Schottky Barrier height eϕBn on Voc are discussed. It is concluded that a high n-value is not necessary to obtain a high open circuit voltage Voc. | tr_TR |
| dc.identifier.citation | Aladlı, F., Birgül, G. ve Özdemir, S. (1983). Open-circuit voltage of MIS silicon solar cells. Turkish Journal of Nuclear Sciences, 10(2), 85-93. | tr_TR |
| dc.identifier.endpage | 93 | tr_TR |
| dc.identifier.issue | 2 | tr_TR |
| dc.identifier.startpage | 85 | tr_TR |
| dc.identifier.uri | http://kurumsalarsiv.tenmak.gov.tr/handle/20.500.12878/1899 | |
| dc.identifier.volume | 10 | tr_TR |
| dc.language.iso | eng | tr_TR |
| dc.publisher | Turkish Atomic Energy Authority | tr_TR |
| dc.relation.journal | Turkish Journal of Nuclear Sciences | tr_TR |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | tr_TR |
| dc.subject | MIS silicon solar cells | tr_TR |
| dc.subject | MIS silikon güneş pilleri | tr_TR |
| dc.subject | Open-circuit voltage | tr_TR |
| dc.subject | Açık devre voltajı | tr_TR |
| dc.title | Open-circuit voltage of MIS silicon solar cells | tr_TR |
| dc.type | article | tr_TR |