Lithium - drifted silicon p-i-n junction dedectors

Simple item page
dc.contributor.authorBirgül, G.
dc.contributor.authorErdaç, G.
dc.contributor.authorTürek, D.
dc.contributor.authorTüre, E.
dc.contributor.authorBüget, U.
dc.contributor.departmentAEK-Ankara Nükleer Araştırma ve Eğitim Merkezitr_TR
dc.date.accessioned2021-09-07T08:41:00Z
dc.date.available2021-09-07T08:41:00Z
dc.date.issued1976
dc.description.abstractp-i-n birleşim parçacık dedektörleri iyon sürükleme tekniği ile yapılmış ve 2,5-3 mm den daha derin duyar bölgeler elde edilmiştir. Ölçülen ve hesaplanan sürükleme hızları arasında iyi bir uyuşum gözlenmiştir. Oda sıcaklığında, 500 KeV ve MeV'Iik elektronlar için, dedektörlerin ayırma gücü (yarı maksimumda tam genişlik, FWHM) 25 KeV olarak ve 661KeV'lik gama ışınları için ise 19 KeV olarak bulunmuştur. Dedektörler sıvı azot sıcaklığına kadar soğutulduğunda, 1 MeV’lik elektronlar için ayırma gücünün 20 KeV’e kadar düştüğü görülmüştür.tr_TR
dc.description.abstractIon drift techniques heve been used to produce p-i-n junction particle detectors by drifting lithium in p-type silicon. The depletion depths up to and greater than 2.5-3 mm were obtained. The agreement between calculated and measured drift rates was found to be satisfactory. At the room temperature, resolutions (FWHM) down to 25 keV were obtained for the electrons at energies of 500 KeV and 1 MeV. The resolution for gamma rays was 19 KeV at 661 KeV. Resolutions down to 20 KeV were observed for electrons 1 MeV when the detectors were cooled down to liqulid nitrogen temperature.tr_TR
dc.identifier.citationBirgül, G. ... [ve arkadaşları]. (1976). Lithium - drifted silicon p-i-n junction dedectors. Technical Journal, 3(3), 90-102.tr_TR
dc.identifier.endpage102tr_TR
dc.identifier.issue3tr_TR
dc.identifier.startpage90tr_TR
dc.identifier.urihttp://kurumsalarsiv.tenmak.gov.tr/handle/20.500.12878/1770
dc.identifier.volume3tr_TR
dc.language.isoengtr_TR
dc.publisherTurkish Atomic Energy Commission, Ankara Nuclear Research and Traning Centertr_TR
dc.relation.journalTechnical Journaltr_TR
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesstr_TR
dc.subjectLithiumtr_TR
dc.subjectLityumtr_TR
dc.subjectDrifted silicontr_TR
dc.subjectSürüklenmiş silikontr_TR
dc.subjectP-i-n junction dedectorstr_TR
dc.subjectP-i-n bağlantı dedektörleritr_TR
dc.titleLithium - drifted silicon p-i-n junction dedectorstr_TR
dc.typearticletr_TR
Files
Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
tj_1976_v3_s3_2.pdf
Size:
5.44 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Yayıncı Sürümü
Download
License bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
3.36 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description:
Download
Collections
Cilt 3 - Sayı: 3 (1976)