MOS (Metal - Oxide - Semiconductor) yapısında Nss yüzey enerji durumları yoğunluğunun x-ışınları ile değişimi
| dc.contributor.author | Ellialtıoğlu, M. R. | |
| dc.contributor.author | Sencer, O. | |
| dc.contributor.author | Büget, Uğur | |
| dc.contributor.authorID | 0000-0001-6100-5727 | |
| dc.contributor.department | TAEK | tr_TR |
| dc.date.accessioned | 2017-07-03T08:22:03Z | |
| dc.date.available | 2017-07-03T08:22:03Z | |
| dc.date.issued | 1973-11 | |
| dc.description | TENMAK D.N.. 8507 Bu çalışma TÜBİTAK IV. Bilim Kongresine sunulmuştur. | tr_TR |
| dc.description.abstract | 5 ohra-em rezistiviteli p-tipi bir silisyum dilimi üzerinde 2160 A° kalınlığında SİO2 tabakası büyültülerek Au-SiO2-Si-Al MOS yapısı inşa edildi ve 4.5 MHz ’de yapının C-V karakteristikleri ölçüldü, ölçülerden faydalanarak yüzey enerji durumları yoğunluğu hesaplandı ve 1.4x10(11) cm-2 olarak bulundu. Yüzey enerji durumları yoğunluğunun, ışınlama hızı 60 R/dak, çalışma voltajı 150 KV ve anod akımı 5 mA olan bir X-ışını tüpü kullanarak, ışınlama süresiyle değişimi incelendi ve doyma eğrisi elde edildi. | tr_TR |
| dc.description.abstract | A 2160 A° thick SİO2 layer was growth on a p-type silicon wafer of the resistivity of 5 ohro-cm and an Au-SiO2-Si-Al MOS structure was built. The C-V charaotheristics of the struoture was measured at 4.5 MHz. The surface-state density was calculated using these measurements and found as 1.4x10(11) cm-2. Using an X-ray machine with the operating voltage of 150 kV the anode current of 5 ”iA and the exposure rate of 60 R/min., variations of surface-state density with the irradiation time was observed and the saturation curve was plotted. | tr_TR |
| dc.identifier.citation | Ellialtıoğlu, R., Sencer, O. ve Büget, U. (1973). MOS (Metal - Oxide - Semiconductor) yapısında Nss yüzey enerji durumları yoğunluğunun x-ışınları ile değişimi. Ankara : Atom Enerjisi Komisyonu. | tr_TR |
| dc.identifier.uri | http://kurumsalarsiv.tenmak.gov.tr/handle/20.500.12878/512 | |
| dc.language.iso | tur | tr_TR |
| dc.publisher | Atom Enerjisi Komisyonu | tr_TR |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | tr_TR |
| dc.subject | X-rays | tr_TR |
| dc.subject | X-ışınları | tr_TR |
| dc.subject | MOS (Metal - Oxide - Semiconductor) | tr_TR |
| dc.subject | MOS (Metal - Oksit - Yarıiletken) | tr_TR |
| dc.title | MOS (Metal - Oxide - Semiconductor) yapısında Nss yüzey enerji durumları yoğunluğunun x-ışınları ile değişimi | tr_TR |
| dc.type | report | tr_TR |