Bu çalışmada enerji dağınımlı X-ışını floresansı (EDXRF) yardımıyla Ni-Si ikili sisteminde alaşım etkisinin nikelin K-kabuğu floresans veriminde, Kp/Ka şiddet oranında ve tesir kesitinde oluşturduğu etkiler incelenmiştir. Sonuçlar, bazı Ni-Si alaşımları için mevcut elektronik yapı hesaplamalarından elde edilen sonuçlar, Ni’nin 3d-elektronik şekillenimi cinsinden tartışılmıştır.