Browsing by All Authors "0000-0001-6100-5727"

Now showing 1 - 3 of 3
  • Thumbnail Image
    Item
    C-V characteristics of mosom structures
    (Turkish Atomic Energy Commission, Ankara Nuclear Research Center, 1974-06) Ellialtıoğlu, M. R.; Sencer, O.; Büget, Uğur; 0000-0001-6100-5727; AEK-Ankara Nükleer Araştırma Merkezi
    Bir silisyum kristalinin iki yüzeyi üzerinde karşılıklı iki MOS kapasitesi inşa edilerek bir MOSOM yapısı elde edildi. Yapının C -V karakteristiği ölçüldü ve kompüter programı ile elde edilen teorik eğriyle karşılaştırıldı.
  • Thumbnail Image
    Item
    Effects of X-ray radiation to the surface - state density in a metal-oxide-semiconductor structure
    (Turkish Atomic Energy Commission, Ankara Nuclear Research Center, 1974-02) Ellialtıoğlu, M. R.; Sencer, O.; 0000-0001-6100-5727; AEK-Ankara Nükleer Araştırma Merkezi
    5 ohm - cm rezistiviteli p-tipi bir silisyum dilimi üzerinde 2160 A kalınlığında Si02 tabakası büyütülerek Au - SiO2 - Si - Al MOS yapısı inşa edildi. 4.5 MHz’de yapının C-V karakteristiği ölçüldü ve yüzey enerji durumları yoğunluğu 1.4x10(11) cm-2 olarak hesaplandı. Yüzey enerji durumları yoğunluğunun X-ışını ile değişimi incelendi.
  • Thumbnail Image
    Item
    MOS (Metal - Oxide - Semiconductor) yapısında Nss yüzey enerji durumları yoğunluğunun x-ışınları ile değişimi
    (Atom Enerjisi Komisyonu, 1973-11) Ellialtıoğlu, M. R.; Sencer, O.; Büget, Uğur; 0000-0001-6100-5727; TAEK
    5 ohra-em rezistiviteli p-tipi bir silisyum dilimi üzerinde 2160 A° kalınlığında SİO2 tabakası büyültülerek Au-SiO2-Si-Al MOS yapısı inşa edildi ve 4.5 MHz ’de yapının C-V karakteristikleri ölçüldü, ölçülerden faydalanarak yüzey enerji durumları yoğunluğu hesaplandı ve 1.4x10(11) cm-2 olarak bulundu. Yüzey enerji durumları yoğunluğunun, ışınlama hızı 60 R/dak, çalışma voltajı 150 KV ve anod akımı 5 mA olan bir X-ışını tüpü kullanarak, ışınlama süresiyle değişimi incelendi ve doyma eğrisi elde edildi.